Согласно статье опубликованой сегодня в Nature исследователи обнаружили новый способ получения ультратонких транзисторов. Устройства выполнены из экспериментального материала - халькогенида переходных металлов (TMD).
Находка может привести к реальному прорыву в будущих поколениях электроники.
221
просмотров
Статья Nature описывает новый способ получения TMD, более успешный и стабильный, чем любой предыдущий метод. Исследователи обратились к проверенной промышленной технологии, известной как "Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы". Смесь двух коммерчески доступных соединений-предшественников - Диметилсульфид и соединения металлических гексакарбонилов - смешали на кремниевой пластине и выпекали при 550 градусах Цельсия в течение 26 часов в присутствии газообразного водорода. В результате получен массив из 200 ультра-тонких транзисторов с хорошей подвижностью электронов. Только у двух из них были проблемы с проводимостью.