Инженеры из Южной Кореи создали рабочий прототип флеш-памяти типа NAND на основе гибкой интегральной схемы с большой степенью интеграции (LSI). Об этом сообщается в журнале Advanced Materials.
151
просмотров
Инженеры из Южной Кореи создали рабочий прототип флеш-памяти типа NAND на основе гибкой интегральной схемы с большой степенью интеграции (LSI). Об этом сообщается в журнале Advanced Materials.
Круто. Что бы это не значило